图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法
赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 王 亮; 王 雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 
2009-05-27
专利权人中科院半导体研究所
公开日期3996
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2007-11-21
语种中文
专利状态公开
申请号CN200710177781.1
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9150
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
赵永梅,孙国胜,刘兴昉,等. 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法[P]. 2009-05-27.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
3510.pdf(839KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[赵永梅]的文章
[孙国胜]的文章
[刘兴昉]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[赵永梅]的文章
[孙国胜]的文章
[刘兴昉]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[赵永梅]的文章
[孙国胜]的文章
[刘兴昉]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。