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电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪洋;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  梁松;  边静;  安心;  王伟;  周代兵
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分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘扬;  赵玲娟;  朱洪亮;  潘教青;  王圩
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基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张云霄;  廖栽宜;  周帆;  赵玲娟;  王圩
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异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  陈娓兮;  梁松;  边静;  安心;  王伟
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量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  邵永波;  赵玲娟;  于红艳;  潘教青;  王宝军;  王圩
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一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  张莉萌;  陆丹;  赵玲娟;  余力强;  潘碧玮;  王圩
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一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  闫果果;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  曾一平
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基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  张莉萌;  陆丹;  赵玲娟;  余力强;  潘碧玮;  王圩
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降低衬底表面残留杂质浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人:  刘京明;  赵有文;  王凤华;  杨凤云
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