| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 |
| 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门，包括：一基片；一n型稀释波导层制作于基片之上；一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上，形成电吸收调制器结构；一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P型重掺杂的InP电子阻挡层和P型重掺杂InGaAs接触层，依次制作于n型稀释波导层之上，形成单行载流子探测器的结构；一n型金属电极层制作于n型释波导层之上；一氮化硅或氧化硅绝缘覆盖层制作于n型金属电极层之上，并将电吸收调制器结构和单行载流子探测器结构的侧面及其周围覆盖；一聚合物包层制作于氮化硅或氧化硅绝缘覆盖层之上；一薄膜电阻制作于聚合物包层之上；一P型微带线状金属电极和P型电极板制作于聚合物包层之上，并通过薄膜电阻连接。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910093299.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910093299.9
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22255
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张云霄,廖栽宜,周帆,等. 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法. CN200910093299.9.
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