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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:半导体集成技术工程研究中心
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集成Ge2Sb2Te5相变栅的无结硅纳米线晶体管研究
学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:
葛延栋
Adobe PDF(16561Kb)
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浏览/下载:515/0
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提交时间:2023/07/03
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du, YD
;
Han, WH
;
Yan, W
;
Yang, FH
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浏览/下载:559/76
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提交时间:2015/04/02
飞秒激光光刻技术制备T型栅AiGaN/GaN_HEMT的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
杜彦东
Adobe PDF(2344Kb)
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浏览/下载:1156/63
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提交时间:2012/06/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du, YD
;
Han, WH
;
Yan, W
;
Xu, XN
;
Zhang, YB
;
Wang, XD
;
Yang, FH
;
Cao, HZ
;
Jin, F
;
Dong, XZ
;
Zhao, ZS
;
Duan, XM
;
Liu, Y
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浏览/下载:1088/357
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
熊莹
;
张仁平
;
杨富华
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浏览/下载:3233/1392
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提交时间:2012/07/17
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
杨富华
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浏览/下载:1880/383
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提交时间:2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:
颜伟
;
杜彦东
;
韩伟华
;
杨富华
Adobe PDF(370Kb)
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浏览/下载:1456/336
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提交时间:2012/09/07
氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:
彭文博
;
曾湘波
;
刘石勇
;
姚文杰
;
谢小兵
;
肖海波
;
杨萍
;
王超
;
俞育德
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浏览/下载:1433/250
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提交时间:2012/09/07
半导体晶体管结构及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:
张严波
;
韩伟华
;
杜彦东
;
李小明
;
陈艳坤
;
杨香
;
杨富华
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浏览/下载:1538/342
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提交时间:2012/09/07
硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:
韩伟华
;
陈燕坤
;
李小明
;
张严波
;
杜彦东
;
杨富华
Adobe PDF(547Kb)
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浏览/下载:1565/343
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提交时间:2012/09/07