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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [2]
半导体超晶格国家重点... [1]
中科院半导体材料科学... [1]
作者
贺继方 [1]
文献类型
专利 [4]
发表日期
2010 [2]
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中文 [3]
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具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-17, 2010-08-12
发明人:
黄祖炎
;
宋国锋
;
王 青
;
韦 欣
;
陈良惠
Adobe PDF(781Kb)
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浏览/下载:1557/242
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提交时间:2010/08/12
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
王鹏飞
;
吴东海
;
吴兵朋
;
熊永华
;
詹 峰
;
黄社松
;
倪海桥
;
牛智川
Adobe PDF(412Kb)
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收藏
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浏览/下载:1756/296
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提交时间:2010/08/12
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
王海莉
;
贺继方
;
朱岩
;
李密峰
;
王鹏飞
;
黄社松
;
熊永华
Adobe PDF(723Kb)
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浏览/下载:1685/204
  |  
提交时间:2011/08/30
材料的微区应力测试系统
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:
高寒松
;
陈涌海
;
刘雨
;
张宏毅
;
黄威
;
朱来攀
;
李远
;
邬庆
Adobe PDF(513Kb)
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提交时间:2014/11/24