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具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器 | |
黄祖炎; 宋国锋; 王 青; 韦 欣; 陈良惠 | |
2010-08-12 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2010-02-17 ; 2010-08-12 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 一种具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器,其特征在于,包括:一铜热沉,该铜热沉上开有一凹槽;一透明热沉,该透明热沉的上表面蒸镀有增透膜;一外延片,该外延片采用液体吸附的方法与透明热沉的下表面连接,将连接后透明热沉和外延片通过焊料与铜热沉固定连接,使外延片容置在凹槽内;一泵浦光源,该泵浦光源与轴线成一定的角度置于透明热沉上表面的一侧;一外腔镜,该外腔镜位于透明热沉上面的轴线处,该外腔镜的凹面镀有反射膜。 |
申请日期 | 2008-08-13 |
语种 | 中文 |
专利状态 | 实质审查的生效 |
申请号 | CN200810118320.1 |
专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13386 |
专题 | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄祖炎,宋国锋,王 青,等. 具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器[P]. 2010-08-12. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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