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| 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 | |
牛智川; 倪海桥; 王海莉; 贺继方 ; 朱岩; 李密峰; 王鹏飞; 黄社松; 熊永华
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对GaAs衬底的加热器进行升温，在有As保护的情况下对GaAs衬底进行脱氧；将GaAs衬底的加热器温度降至生长温度，生长GaAs缓冲层，并掺杂Si；生长多对GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；降低生长温度，生长低密度量子点；生长InGaAs(Sb)盖层；生长耦合量子点拓展波长；生长掺杂GaAs层；制作上下电极。利用本发明，有效改善量子点发光效率，提高了收集效率以及实现了波长的调控。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 专利号 | CN200910235334.6 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910235334.6 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21863 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,倪海桥,王海莉,等. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法. CN200910235334.6. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910235334.6.pdf（723KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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