中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共43条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
硅基光子集成的器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄昌俊;  邓晓清;  成步文;  王红杰;  杨沁清;  余金中;  胡雄伟;  王启明
Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1363/218  |  提交时间：2009/06/11
键合强度可调节的柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(306Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1243/177  |  提交时间：2009/06/11
一种减小霍尔器件失调电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1092/126  |  提交时间：2009/06/11
一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
Adobe PDF(181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1089/136  |  提交时间：2009/06/11
高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1057/125  |  提交时间：2009/06/11
半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1280/185  |  提交时间：2009/06/11
磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1527/226  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Feng G;  Duan LH;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1574/630  |  提交时间：2010/08/12
Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask 会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:  Feng G;  Shen XM;  Zhu JJ;  Zhang BS;  Yang H;  Liang JW;  Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(92Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1302/308  |  提交时间：2010/10/29
Buffer Layer  Substrate  Diodes  Growth  
MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates 会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:  Zhang BS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(229Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1408/302  |  提交时间：2010/10/29
Vapor-phase Epitaxy  Layers  Aln