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深耗尽型金刚石MISFET的模拟仿真研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  徐鹏飞
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高压大功率碳化硅IGBT器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  温正欣
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GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  吉泽生
Adobe PDF(2900Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：706/54  |  提交时间：2017/05/31