| GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 | |
| 吉泽生 | |
| Subtype | 硕士 |
| Thesis Advisor | 汪连山 |
| 2017-05-26 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 材料工程 |
| Date Available | 2017-05-31 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28151 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 吉泽生. GaN基HEMT器件材料的生长技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017. |
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| GaN基HEMT器件材料的生长技术研究.（2900KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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