| 高压大功率碳化硅IGBT器件研究 | |
| 温正欣 | |
| Subtype | 博士 |
| 2019-06 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Language | 中文 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29057 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 温正欣. 高压大功率碳化硅IGBT器件研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2019. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 2019044-温正欣-博士-高压大功率（4436KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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