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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
黑磷薄膜的磁输运与磁光性质 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  周小英
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黑磷薄膜  Kp 微扰方法  线性响应理论  朗道能级  磁输运性质  磁光性质  有效g因子  
无权访问的条目 学位论文
作者:  叶艳霞
Adobe PDF(6722Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：300/14  |  提交时间：2017/05/26