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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2004
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bian LF
;
Jiang D
;
Liang XG
;
Lu SL
;
Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfbian@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:823/254
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song, YP
;
Zhang, HZ
;
Lin, C
;
Zhu, YW
;
Li, GH
;
Yang, FH
;
Yu, DP
;
Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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浏览/下载:1504/510
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提交时间:2010/03/09
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1580/258
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Upconversion emission of a Er3+-doped glass microsphere under 633 nm excitation
会议论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 35 (4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wang JY
;
Ji GR
;
Jin P
;
Zhao LJ
;
Zhang CZ
;
Wang JY Bewing Univ Technol Coll Appl Sci Beijing 100022 Peoples R China. 电子邮箱地址: wangjiyou@bjut.edu.cn
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浏览/下载:1301/244
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提交时间:2010/10/29
Upconversion
Doped-er3++ Glass Microsphere
Morphology-dependent Resonances
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao Q
;
Li JC
;
Zhou H
;
Wang H
;
Wang B
;
Yan H
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1381/439
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tan PH
;
Dimovski S
;
Gogotsi Y
;
Tan, PH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gogotsi@drexel.edu
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浏览/下载:2924/1339
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提交时间:2010/03/09
Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen WD
;
Song SF
;
Zhu JJ
;
Wang XL
;
Chen CY
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1315/325
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提交时间:2010/11/15
Doping
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Semiconducting Gallium Compounds
Erbium
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:
Zhang S
;
Liao X
;
Xu Y
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Kong G
;
Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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浏览/下载:1359/340
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon Films
Scattering
Absorption
Densities
Hydrogen
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu, XH
;
Niu, ZC
;
Ni, HQ
;
Xu, YQ
;
Zhang, W
;
He, ZH
;
Han, Q
;
Wu, RH
;
Xu, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Supperlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xiaohua_xu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:891/289
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, XX
;
Zeng, YP
;
Wang, XG
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Zhang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxzhang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:769/219
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提交时间:2010/03/09