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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [7]
作者
魏鸿源 [3]
宋华平 [2]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
语种
中文 [7]
出处
Cailiao Go... [1]
资助项目
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EI [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Shi-Yong
;
Zeng, Xiang-Bo
;
Peng, Wen-Bo
;
Yao, Wen-Jie
;
Xie, Xiao-Bing
;
Yang, Ping
;
Wang, Chao
;
Wang, Zhan-Guo
;
Zeng, X.-B.(xbzeng@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1029Kb)
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浏览/下载:1189/124
  |  
提交时间:2012/06/14
掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
宋华平
;
杨安丽
;
郭严
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(400Kb)
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  |  
浏览/下载:1524/243
  |  
提交时间:2011/08/31
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郑高林
;
杨安丽
;
宋华平
;
郭严
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(1109Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1423/206
  |  
提交时间:2011/08/31
生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王振华
;
刘祥林
;
杨少延
;
杨安丽
Adobe PDF(348Kb)
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  |  
浏览/下载:1443/223
  |  
提交时间:2011/08/31
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郭严
;
宋华平
;
郑高林
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(378Kb)
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浏览/下载:1423/262
  |  
提交时间:2011/08/31
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
时凯
;
刘祥林
;
魏鸿源
;
焦春美
;
王俊
;
李志伟
;
宋亚峰
;
杨少延
;
朱勤生
;
王占国
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浏览/下载:1118/184
  |  
提交时间:2012/09/09
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
桑玲
;
王俊
;
魏鸿源
;
焦春美
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1670/250
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提交时间:2012/09/09