| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 |
| 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010157517.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010157517.3
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22215
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑高林,杨安丽,宋华平,等. 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法. CN201010157517.3.
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