利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 | |
郑高林; 杨安丽; 宋华平![]() ![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法,包括:步骤1:取一衬底;步骤2:采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层;步骤3:采用MOCVD方法,通入铟源和氮源,在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜;步骤4:关闭铟源,并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源,完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度,可以获得高质量的非极性A面InN薄膜,该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。 |
metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Patent Number | CN201010157517.3 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010157517.3 |
Patent Agent | 周国城 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22215 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 郑高林,杨安丽,宋华平,等. 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法. CN201010157517.3. |
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