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中国科学院半导体研究所机构知识库
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出处:OPTICAL MATERIALS, 14 (3)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Er-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer
Al2o3 Wave-guides
Er
Electroluminescence
Epitaxy
Gaas
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
;
Ou HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Thick Sio2 Layer
Porous Silicon
Sio2/si Waveguide Device
Wave-guides
Silicon
Characteristics of circular waveguide photodetectors using SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li C Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Circular Waveguide Photodetector
Responsivity
Quantum Efficiency
Sige/si Mqw
1.3 Mu-m
High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen LH
;
Xu ZT
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Yang GW
;
Xu JY
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
High Power
Al-free Laser
Communication
Epitaxy