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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Liang, JW;  Yang, H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Li X;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Li W;  Han PD;  Zhang Z;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
Adobe PDF(552Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1000/266  |  提交时间：2010/08/12
Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:  Chen NF;  Zhong XG;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2029/365  |  提交时间：2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide  Floating-zone Growth  Crystal-growth  Zero Gravity  Microgravity  Segregation  Stoichiometry  Silicon  Defects  Insb  
Space grown semi-insulating gallium arsenide single crystal and its application 会议论文
IMPACT OF THE GRAVITY LEVEL ON MATERIALS PROCESSING AND FLUID DYNAMICS, 29 (4), WARSAW, POLAND, JUL, 2000
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF Acad Sinica Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1564/239  |  提交时间：2010/11/15
Semiinsulating Gaas  Stoichiometry  Defects  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF,Acad Sinica,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：782/181  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Zhang M;  Wang YS;  Bai XW;  Zhao J;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen N;  Chen N,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100864,Peoples R China.
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Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Xie X;  Zhang M;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(158Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1582/315  |  提交时间：2010/11/15
Gaas  Outer Space  Microgravity  Integrated Circuit  Semiinsulating Gallium-arsenide  Lec-gaas  Defects  Stoichiometry  Segregation  Carbon  Boron  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Xie X;  Zhang M;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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