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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [1]
作者
薛春来 [1]
苏少坚 [1]
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会议论文 [5]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [3]
2005 [1]
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期刊论文
作者:
Peng YC (Peng Ying-Cai)
;
Fan ZD (Fan Zhi-Dong)
;
Bai ZH (Bai Zhen-Hua)
;
Zhao XW (Zhao Xin-Wei)
;
Lou JZ (Lou Jian-Zhong)
;
Cheng X (Cheng Xu)
;
Peng, YC, Hebei Univ, Coll Elect & Informat Engn, Baoding 071002, Peoples R China.电子邮箱地址: ycpeng2002@163.com
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提交时间:2010/05/24
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bai AQ
;
Hu D
;
Ding WC
;
Su SJ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Fan ZC
;
Cheng BW
;
Yu YD
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn
;
cbw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou B
;
Pan SW
;
Chen R
;
Chen SY
;
Li C
;
Lai HK
;
Yu
;
JZ
;
Zhu XF
;
Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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提交时间:2010/04/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hao, XP
;
Wang, BY
;
Yu, RS
;
Wei, L
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Hao, WC
;
Wei, L, Chinese Acad Sci, Inst High Energy Phys, Key Lab Nucl Anal Tech, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: weil@ihep.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Q (Xu Qiang)
;
Luo JW (Luo Jun-Wei)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
;
Li, JB, Acad Sinica, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi LW (Shi Liwei)
;
Wang Q (Wang Qiang)
;
Li YG (Li Yuguo)
;
Xue CS (Xue Chengshan)
;
Zhuang HZ (Zhuang Huizhao)
;
Shi, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liweishi@semi.ac.en
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提交时间:2010/04/11
The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S
会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Li J
;
An JM
;
Wang HJ
;
Xia JL
;
Gao DS
;
Hu XW
;
Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix
会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:
Wang XX (Wang Xiaoxin)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
Photoluminescence and Raman scattering correlated study of boron-doped silicon nanowires
会议论文
Science and Technology of Nanomaterials - ICMAT 2003丛书标题: JOURNAL OF METASTABLE AND NANOCRYSTALLINE MATERIALS SERIES, Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Zeng, XB
;
Liao, XB
;
Dai, ST
;
Wang, B
;
Xu, YY
;
Xiang, XB
;
Hu, ZH
;
Diao, HW
;
Kong, GL
;
Zeng, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Chemical Vapor Deposition Processes
Nanomaterials
Semiconducting Silicon
Visible Photoluminescence
Porous Silicon
Amorphous-silicon
Si
Spectroscopy
Films
Nanostructures
Confinement
Growth
A silicon capacitive microphone based on oxidized porous silicon sacrificial technology
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Ning, J
;
Liu, ZL
;
Liu, HZ
;
Ge, YC
;
Ning, J, Chinese Acad Sci, Microelect R&D Ctr, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Silicon Capacitive Microphone
Oxidized Porous Silicon
Sacrificial Layer