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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李士颜
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高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang, XW;  Deng, HX;  Luo, JW;  Li, SS;  Wang, LW;  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn;  lwwang@lbl.gov
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Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Wang, N;  Li, N;  Liu, ZL;  Yu, F;  Li, GH;  Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Soi  Mosfet