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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中科院半导体材料科学... [1]
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学位论文 [1]
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2017 [1]
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:
孔祥挺
Adobe PDF(15211Kb)
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提交时间：2017/06/05
Ingaas沟道
高迁移率
Mosfet
Ge/si衬底
