中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
Adobe PDF(15211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：858/39  |  提交时间：2017/06/05
Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李士颜
Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：941/63  |  提交时间：2016/06/02
高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器