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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dongyan Tao;  Yu Cheng;  Jingming Liu;  Jie Su;  Tong Liu;  Fengyun Yang;  Fenghua Wang;  Kewei Cao;  Zhiyuan Dong;  Youwen Zhao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hui Xie;  Tong Liu;  JingMing Liu;  KeWei Cao;  ZhiYuan Dong;  Jun Yang;  YouWen Zhao
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偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  曹可慰;  赵有文
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