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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, CL;  Wang, YF;  Liu, L;  Fan, XD;  Qi, AY;  Feng, ZG;  Yang, F;  Peng, QJ;  Xu, ZY;  Zheng, WH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JY;  Wang XF;  Wang XD;  Fan ZC;  Li Y;  Ji A;  Yang FH;  Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jyzhang08@semi.ac.cn;  wangxiaofeng@semi.ac.cn;  fhyang@red.semi.ac.cn
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一种铁电晶体材料的极化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  范学东;  马传龙;  王海玲;  王宇飞;  马绍栋;  郑婉华
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一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  渠红伟;  彭红玲;  王海玲;  马绍栋
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一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  范学东;  马传龙;  马绍栋;  齐爱谊
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一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  马绍栋;  齐爱谊
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ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人:  徐晓娜;  胡传贤;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种复合膜片压力传感器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓东;  樊中朝;  季安;  邢波;  杨富华
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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