SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法; 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法
郑婉华; 马传龙; 范学东; 渠红伟; 彭红玲; 王海玲; 马绍栋
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 本发明涉及晶体材料处理技术领域,公开了一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法,包括:在铁电晶体材料上施加高脉冲电压,将该铁电晶体材料极化为周期性反转铁电晶体;以及对该周期性反转铁电晶体进行切割、抛光和对准键合,完成大厚度周期极化铁电晶体材料的制备。利用本发明可制备出大厚度的周期极化铁电晶体材料。
metadata_83纳米光电子实验室
Patent NumberCN102321920A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110241438.5
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23448
Collection纳米光电子实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
郑婉华,马传龙,范学东,等. 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法, 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法. CN102321920A.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法(574KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[郑婉华]'s Articles
[马传龙]'s Articles
[范学东]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[郑婉华]'s Articles
[马传龙]'s Articles
[范学东]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[郑婉华]'s Articles
[马传龙]'s Articles
[范学东]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.