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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Guo TT (Guo Ting-ting)
;
Wang SJ (Wang Shou-jue)
;
Wang HW (Wang Hong-wu)
;
Hu HX (Hu Hai-xiao)
;
An D (An Dong)
;
Wu WJ (Wu Wen-jin)
;
Xia W (Xia Wei)
;
Zhai YF (Zhai Ya-feng)
;
Zhai, YF, China Agr Univ, Coll Biol Sci, Beijing 100193, Peoples R China. E-mail Address: hellogtt@semi.ac.cn
;
zhaiyafeng@gmail.com
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提交时间:2010/10/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu WJ (Wu Wen-jin)
;
Wang HW (Wang Hong-wu)
;
Chen SJ (Chen Shao-jiang)
;
Guo TT (Guo Ting-ting)
;
Wang SJ (Wang Shou-jue)
;
Su Q (Su Qian)
;
Sun M (Sun Ming)
;
An D (An Dong)
;
An, D, China Agr Univ, Coll Informat & Elect Engn, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wanna1106@163.com
;
andong@semi.ac.cn
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提交时间:2010/05/24
无权访问的条目
期刊论文
作者:
邬文锦
;
王红武
;
陈绍江
;
郭婷婷
;
王守觉
;
苏谦
;
孙明
;
安冬
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郭婷婷
;
王守觉
;
王红武
;
胡海晓
;
安冬
;
邬文锦
;
夏维
;
翟亚锋
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Y (Xu Ying)
;
Diao HW (Diao Hong-Wei)
;
Zhang SB (Zhang Shi-Bin)
;
Li XD (Li Xu-Dong)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Wang WJ (Wang Wen-Jing)
;
Liao XB (Liao Xian-Bo)
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
许颖
;
刁宏伟
;
张世斌
;
励旭东
;
曾湘波
;
王文静
;
廖显伯
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提交时间:2010/11/23
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Fe-doped Inp
Point-defects
Compensation
Temperature
Donors
Traps
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期刊论文
作者:
肖宛昂
;
胡红武
;
邹立东
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Li, JM
;
Ling, LY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
磷化铟单晶片的抛光工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
董宏伟
;
赵有文
;
杨子祥
;
焦景华
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提交时间:2009/06/11