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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu XN (Xu Xiao-Na); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Li YQ (Li Yue-Qiang); Chen YL (Chen Yan-Ling); Ji A (Ji An); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Yang FH (Yang Fu-Hua)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李越强; 刘雯 ; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
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| 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
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| 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王志成; 徐波; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 石礼伟; 梁凌燕
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| GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JP (Liu Jun-Peng); Qu SC (Qu Sheng-Chun); Chen YH (Chen Yong-Hai); Xu Y (Xu Ying); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Liang LY (Liang Ling-Yan); Wang ZJ (Wang Zhi-Jie); Zhou HY (Zhou Hui-Ying); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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| 组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 张富强; 杨君玲; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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