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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JL;  Chen YH;  Jiang CY;  Liu Y;  Ma H;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JL (Yu J. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Jiang CY (Jiang C. Y.);  Jia CH (Jia C. H.);  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ;  Yang XJ;  Chong M;  Yang T;  Chen LH;  Shao J;  Lu X;  Lu W;  Song CY;  Uo HC;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Y (Chen Yao);  Zhou YQ (Zhou Yuqin);  Zhang QF (Zhang Qunfang);  Zhu MF (Zhu Meifang);  Liu FZ (Liu Fengzhen);  Zhou, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cy830101lcf@yahoo.com.cn;  yqzhou@gucas.ac.cn;  zhangqf@mails.gucas.ac.cn;  mfzhu@gucas.ac.cn;  liufz@gucas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CY;  Chen WD;  Song SF;  Xu ZJ;  Liao XB;  Li GH;  Bian LF;  Ding K;  Chen, CY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Doping  Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Semiconducting Gallium Compounds  Erbium  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Luminescence properties of Er3+ - Doped SiOx films containing amorphous Si nanoparticles 会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:  Chen WD;  Chen CY;  Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zeng XB;  Liao XB;  Diao HW;  Hu ZH;  Xu YY;  Zhang SB;  Chen CY;  Chen WD;  Kong GL;  Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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Laser-ablation  Semiconductor Nanowires  Growth  Mechanism  Evaporation  Diameter  Wires  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CY;  Chen WD;  Song SF;  Xu ZJ;  Liao XB;  Li GH;  Ding K;  Chen CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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