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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [12]
作者
魏鸿源 [1]
宋华平 [1]
时凯 [1]
桑玲 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2013 [4]
2011 [2]
语种
英语 [4]
中文 [2]
出处
IEEE TRANS... [2]
Chinese Ph... [1]
JOURNAL OF... [1]
Physica E:... [1]
资助项目
收录类别
SCI [4]
资助机构
863 High T... [1]
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知识图谱
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, Gui-Juan
;
Yang, Shao-Yan
;
Liu, Gui-Peng
;
Liu, Chang-Bo
;
Sang, Ling
;
Gu, Cheng-Yan
;
Liu, Xiang-Lin
;
Wei, Hong-Yuan
;
Zhu, Qin-Sheng
;
Wang, Zhan-Guo
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浏览/下载:468/89
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提交时间:2014/03/26
ZnO 材料 MOCVD 生长及物性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
桑玲
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浏览/下载:1229/53
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提交时间:2013/06/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Changbo
;
Yang, Shaoyan
;
Shi, Kai
;
Liu, Guipeng
;
Zhang, Heng
;
Jin, Dongdong
;
Gu, Chengyan
;
Zhao, Guijuan
;
Sang, Ling
;
Liu, Xianglin
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:484/99
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sang, Ling
;
Yang, Shao Yan
;
Liu, Gui Peng
;
Zhao, Gui Juan
;
Liu, Chang Bo
;
Gu, Cheng Yan
;
Wei, Hong Yuan
;
Liu, Xiang Lin
;
Zhu, Qin Sheng
;
Wang, Zhan Guo
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浏览/下载:1184/356
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提交时间:2013/08/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu GP (Liu Guipeng)
;
Wu J (Wu Ju)
;
Lu YW (Lu Yanwu)
;
Zhang BA (Zhang Biao)
;
Li CM (Li Chengming)
;
Sang L (Sang Ling)
;
Song YF (Song Yafeng)
;
Shi K (Shi Kai)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:1135/289
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提交时间:2012/02/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi K
;
Yang AL
;
Wang J
;
Song HP
;
Xu XQ
;
Sang L
;
Wei HY
;
Yang SY
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1558/487
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提交时间:2011/07/05
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
桑玲
;
王俊
;
魏鸿源
;
焦春美
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1713/250
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提交时间:2012/09/09
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:
王建霞
;
李志伟
;
赵桂娟
;
桑玲
;
刘长波
;
魏鸿源
;
焦春美
;
杨少延
;
刘祥林
;
朱勤生
;
王占国
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浏览/下载:1084/98
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提交时间:2014/10/29
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
刘贵鹏
;
刘长波
;
谷承艳
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1047/85
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提交时间:2014/10/29
利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
刘长波
;
赵桂娟
;
桑玲
;
王建霞
;
魏鸿源
;
焦春美
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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提交时间:2014/10/28