×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2000 [5]
语种
英语 [5]
出处
OPTICAL MA... [5]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
Int Union ... [5]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(229Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1406/251
  |  
提交时间:2010/11/15
Er-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer
Al2o3 Wave-guides
Er
Electroluminescence
Epitaxy
Gaas
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
;
Ou HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(185Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1479/369
  |  
提交时间:2010/11/15
Thick Sio2 Layer
Porous Silicon
Sio2/si Waveguide Device
Wave-guides
Silicon
Experimental study on tunable external cavity photodetectors
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Ren XM
;
Liu K
;
Huang YQ
;
Liu LY
;
Li JX
;
Guo W
;
Liao QW
;
Ma XY
;
Kang XJ
;
Campbell JC
;
Ren XM Beijing Univ Posts & Telecommun Beijing 100876 Peoples R China.
Adobe PDF(94Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1616/392
  |  
提交时间:2010/11/15
External Cavity Photodetector
Tunable Photodetector
Optoelectronic Device
Wavelength
Characteristics of circular waveguide photodetectors using SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li C Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(403Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1304/232
  |  
提交时间:2010/11/15
Circular Waveguide Photodetector
Responsivity
Quantum Efficiency
Sige/si Mqw
1.3 Mu-m
High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen LH
;
Xu ZT
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Yang GW
;
Xu JY
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(271Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1350/283
  |  
提交时间:2010/11/15
High Power
Al-free Laser
Communication
Epitaxy