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电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:  纪 刚;  孙国胜;  宁 瑾;  刘兴昉;  赵永梅;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  李晋闽
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减小温度梯度的激光晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  李晋闽;  林学春;  熊 波;  侯 玮;  郭 林;  赵鹏飞;  韩泽华;  李瑞贤
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碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  赵永梅;  宁 瑾;  孙国胜;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平 
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氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
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图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  王 亮;  王 雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平 
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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Q;  Wang, JT;  Wang, H;  Jin, RQ;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Zhao, DG;  Yang, H;  Zhou, SQ;  Wu, MF;  Smeets, D;  Vantomme, A;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunqian519@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, C;  Lei, W;  Sun, J;  Hu, LJ;  Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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