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提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  石明吉;  曾湘波;  张长沙;  刘石勇;  彭文博;  肖海波
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利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  蔡芳芳;  范海波;  张攀峰;  刘祥林 
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1308/188  |  提交时间:2010/03/19
有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng WB;  Liu SY;  Xiao HB;  Zhang CS;  Shi MJ;  Zeng XB;  Xu YY;  Kong GL;  Yu YD;  Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xbzeng@semi.ac.cn;  yyxu@semi.ac.cn
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, AL;  Wei, HY;  Liu, XL;  Song, HP;  Fan, HB;  Zhang, PF;  Zheng, GL;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Cai FF;  Sun GS;  Fan HB;  Zhang PF;  Wei HY;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbaoli@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, HB;  Sun, GS;  Yang, SY;  Zhang, PF;  Zhang, RQ;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Liu, XL;  Chen, YH;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, PF;  Wei, HY;  Cong, GW;  Hu, WG;  Fan, HB;  Wu, JJ;  Zhu, QS;  Liu, XL;  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn
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