SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法
石明吉; 曾湘波; 张长沙; 刘石勇; 彭文博; 肖海波
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2010-02-24 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法,该方法包括:在不透明衬底上,采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层,其中,P型层又分为P层和P+层;在生长P层时,将P层的生长时间延长t秒,在P层生长完毕后,保持氢气流量、温度和辉光功率不变,采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒,接着生长P+层;电池从反应室取出后,用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明,处理过程简便易行,既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压,得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池,同时又具有成本低,可规模化生产的优点。
Application Date2008-08-20
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810118736.3
Patent Agent周国城:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13384
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
石明吉,曾湘波,张长沙,等. 提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法[P]. 2010-08-12.
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