Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 | |
| 石明吉; 曾湘波; 张长沙; 刘石勇; 彭文博; 肖海波 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-02-24 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括:在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层;在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P+层;电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。 |
| 申请日期 | 2008-08-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810118736.3 |
| 专利代理人 | 周国城:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13384 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石明吉,曾湘波,张长沙,等. 提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法[P]. 2010-08-12. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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