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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan XT;  Zheng HZ;  Liu J;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Yang FH;  Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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变温显微磁光光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  郑厚植;  李桂荣;  章昊;  姬杨;  甘华东;  朱汇
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光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈海波;  李兆峰;  陈建军;  杨富华;  封松林;  郑厚植
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光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李桂荣;  郑厚植;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZF (Li Zhaofeng);  Ozbay E (Ozbay Ekmel);  Chen HB (Chen Haibo);  Chen JJ (Chen Jianjun);  Yang FH (Yang Fuhua);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Li, ZF, Bilkent Univ, Dept Phys, Nanotechnol Res Ctr, TR-06800 Ankara, Turkey. 电子邮箱地址: zhaofengli@bilkent.edu.tr
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan HD;  Zheng HZ;  Deng JJ;  Bi JF;  Zhu H;  Ji Y;  Tan PH;  Yang FH;  Zhao JH;  Gan, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hdgan@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(631Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1315/395  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZF (Li Zhaofeng);  Chen HB (Chen Haibo);  Chen JJ (Chen Jianjun);  Yang FH (Yang Fuhua);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Feng SL (Feng Songlin);  Li, ZF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lizhaofeng@red.semi.ac.cn
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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