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利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1213/204  |  提交时间：2009/06/11
利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1353/231  |  提交时间：2009/06/11
Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者:  Yu, JZ;  Han, GQ;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1744/311  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  薛春来;  罗丽萍;  韩根全;  曾玉刚;  薛海韵;  王启明
Adobe PDF(704Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1713/493  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han GQ;  Zeng YG;  Liu Y;  Yu JZ;  Cheng BW;  Yang HT;  Han, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hgquan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1138Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：861/294  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han GQ;  Zeng YG;  Yu JZ;  Cheng BW;  Yang HT;  Han, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hgquan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1649Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：700/175  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, GQ;  Yu, JZ;  Liu, Y;  Han, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hgquan@red.semi.ac.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn;  liuyan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(157Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：954/313  |  提交时间：2010/03/08
Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer 会议论文
2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Sorrento, ITALY, SEP 17-19, 2008
作者:  Cheng BW;  Xue HY;  Hu D;  Han GQ;  Zeng YG;  Bai AQ;  Xue CL;  Luo LP;  Zuo YH;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1526/312  |  提交时间：2010/03/09
Sige/si(100) Epitaxial-films  
Si基量子级联激光器能带设计和材料生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  韩根全
Adobe PDF(5502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：805/48  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han GQ (Han Genquan);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Han, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: hgquan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：814/294  |  提交时间：2010/03/29