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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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尹志岗 [8]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang CG
;
Bian LF
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surf Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangcg@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bian LF
;
Zhang CG
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Ma LB
;
Song R
;
Cao ZX
;
Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guobian@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王立彬
;
陈宇
;
刘志强
;
伊晓燕
;
马龙
;
潘领峰
;
王良臣
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浏览/下载:1567/500
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王立彬
;
刘志强
;
陈宇
;
伊晓燕
;
马龙
;
潘领峰
;
王良臣
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浏览/下载:946/269
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提交时间:2010/11/23
在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘力锋
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
;
柴春林
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浏览/下载:1581/202
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提交时间:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
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浏览/下载:1178/169
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang CG
;
Blan LF
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangcg@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bian LF
;
Zhang CG
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Shi TF
;
Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guobian@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu LF
;
Chen NF
;
Wang Y
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Chai CL
;
Zhang X
;
Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
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浏览/下载:1041/267
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang CG
;
Chen WD
;
Bian LF
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangcg@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11