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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
量子点红外激光器和探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  孔金霞
Adobe PDF(7486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1473/88  |  提交时间：2012/06/26