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| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 收藏  |  浏览/下载:603/0  |  提交时间:2016/08/30 |
| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉 Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1473/174  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1289/168  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种紫外红外双色探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183403.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 王辉; 江德生; 杨辉 Adobe PDF(841Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1129/117  |  提交时间:2011/08/30 |
| 氮化镓基紫外-红外双色探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010034282.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 邓懿; 赵德刚 Adobe PDF(367Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1146/147  |  提交时间:2011/08/30 |
| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉 Adobe PDF(619Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/163  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:719/101  |  提交时间:2014/11/05 |
| 测量肖特基势垒高度的装置和方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17 发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 陈平; 江德生 Adobe PDF(880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:891/68  |  提交时间:2014/10/29 |
| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19 发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉 Adobe PDF(439Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:768/87  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种测量直接带隙半导体材料禁带宽度的装置和方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20 发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 陈平; 江德生 Adobe PDF(866Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:689/71  |  提交时间:2014/10/24 |