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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH; Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1554/374  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王兵; 李志聪; 姚然; 梁萌; 闫发旺; 王国宏 Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1410/194  |  提交时间:2011/08/16 |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2060/302  |  提交时间:2012/09/09 |
| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1777/279  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1577/259  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1712/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 减少激光剥离损伤的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 王良臣; 刘志强; 季安; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1354/138  |  提交时间:2011/08/31 |