| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 | |
| 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 专利号 | CN201010145087.3 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010145087.3 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22149 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王兵,李志聪,王国宏,等. 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法. CN201010145087.3. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010145087.3.pdf（260KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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