SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法,包括:步骤1:选择一衬底;步骤2:在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层,该氮化镓成核层为相变缓冲层;步骤3:在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层,该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层,完成生长制备。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN201010145087.3
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010145087.3
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22149
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王兵,李志聪,王国宏,等. 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法. CN201010145087.3.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN201010145087.3.pdf(260KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[王兵]的文章
[李志聪]的文章
[王国宏]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[王兵]的文章
[李志聪]的文章
[王国宏]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[王兵]的文章
[李志聪]的文章
[王国宏]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。