SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共23条,第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1500/220  |  提交时间:2009/06/11
一种制作皮肤干电极的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈海峰;  崔世钢;  张若昕;  陈弘达
Adobe PDF(419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1595/265  |  提交时间:2009/06/11
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1533/246  |  提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1404/200  |  提交时间:2009/06/11
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1499/189  |  提交时间:2009/06/11
砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1505/178  |  提交时间:2009/06/11
半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1455/217  |  提交时间:2009/06/11
氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/181  |  提交时间:2009/06/11
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王新华;  冯春;  王保柱;  马志勇;  王军喜;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅
Adobe PDF(973Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1376/176  |  提交时间:2009/06/11
宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/172  |  提交时间:2009/06/11