Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 | |
高宏玲; 曾一平; 段瑞飞 ; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
| |
| 2008-06-04 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2006-12-01 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 200610144304 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4041 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高宏玲,曾一平,段瑞飞,等. 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法[P]. 2008-06-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 200610144304.pdf（687KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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