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| 制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 胡海洋
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明 ; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明 ; 陈涌海; 王占国
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| 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨晓杰; 马文全 ; 种明; 苏艳梅; 陈良惠
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| 检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 何国荣; 郑婉华; 杨国华; 石岩; 渠红伟; 宋国锋; 陈良惠
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| 长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 何国荣; 渠红伟; 郑婉华; 杨国华; 宋国锋; 陈良惠
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| 基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨跃德 ; 黄永箴; 罗贤树; 陈沁
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| 二维纳米结构深刻蚀方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马小涛; 郑婉华; 杨国华; 任刚; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li YQ; Yang Y; Fu SY; Yi XY ; Wang LC; Chen HD; Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen JJ; Li ZF; Fan ZC; Yang FH; Chen, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjchen@semi.ac.cn
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