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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  柴春林
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一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  刘立峰;  尹志刚;  杨菲;  柴春林
Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1099/169  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CG;  Blan LF;  Chen WD;  Hsu CC;  Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangcg@semi.ac.cn
Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1053/355  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian LF;  Zhang CG;  Chen WD;  Hsu CC;  Shi TF;  Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guobian@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu LF;  Chen NF;  Wang Y;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Zhang X;  Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
Adobe PDF(359Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1041/267  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CG;  Chen WD;  Bian LF;  Song SF;  Hsu CC;  Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangcg@semi.ac.cn
Adobe PDF(284Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：966/311  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu LF;  Chen NF;  Wang Y;  Zhang X;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Novel Devices Grp, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
Adobe PDF(178Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1047/244  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian LF;  Zhang CG;  Chen WD;  Hsu CC;  Qu YH;  Jiang DS;  Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: guobian@semi.ac.cn
Adobe PDF(118Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1038/252  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张春光;  卞留芳;  陈维德
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卞留芳;  张春光;  陈维德;  许振嘉;  屈玉华;  刁宏伟
Adobe PDF(303Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1103/268  |  提交时间：2010/11/23