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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [17]
作者
段瑞飞 [1]
尹志岗 [1]
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韦欣 [1]
文献类型
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发表日期
2006 [17]
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共17条,第1-10条
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘力锋
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
;
柴春林
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浏览/下载:1481/202
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提交时间:2009/06/11
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
王军喜
;
钟兴儒
;
李晋闽
;
曾一平
;
段瑞飞
;
马平
;
魏同波
;
林郭强
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浏览/下载:1588/189
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提交时间:2009/06/11
半导体可饱和吸收镜及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王翠鸾
;
王勇刚
;
林涛
;
王俊
;
郑凯
;
冯小明
;
仲莉
;
马杰慧
;
马骁宇
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浏览/下载:1139/178
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提交时间:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
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浏览/下载:1088/169
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提交时间:2009/06/11
半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
林涛
;
江李
;
陈芳
;
刘素平
;
马骁宇
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浏览/下载:1022/124
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提交时间:2009/06/11
铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
林涛
;
江李
;
陈芳
;
刘素平
;
潭满清
;
王国宏
;
韦欣
;
马骁宇
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DL (Li Dong-Lin)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ldl@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
InP 基HEMT 材料与器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
李东临
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang YG (Wang Yonggang)
;
Ma XY (Ma Xiaoyu)
;
Wang CL (Wang Cuiluan)
;
Lin T (Lin Tao)
;
Zhen K (Zhen Kai)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Zhong L (Zhong Li)
;
Jia YL (Jia YuLei)
;
Wei ZY (Wei ZhiYi)
;
Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DL (Li Dong-Lin)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/11