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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  陈晨龙
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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包含硅基高效发光材料的电致发光器件及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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