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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植 Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1342/141  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟 Adobe PDF(695Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1166/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1284/184  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城 Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1057/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑厚植; 李桂荣; 杨富华 Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1423/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉 Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1425/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杜伟; 许兴胜; 韩伟华; 王春霞; 张杨; 杨富华; 陈弘达 Adobe PDF(1209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:896/201  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华 Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:864/356  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 韩伟华; 樊中朝; 杨富华 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:938/324  |  提交时间:2010/11/23 |