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| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 Inventors: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟 Adobe PDF(695Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1181/161  |  Submit date:2009/06/11 |
| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 Inventors: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城 Adobe PDF(512Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1070/165  |  Submit date:2009/06/11 |
| 单光子探测装置的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 Inventors: 刘伟; 杨富华; 曾宇昕; 郑厚植 Adobe PDF(385Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1125/170  |  Submit date:2009/06/11 |
| 内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005 Authors: 曾宇昕 Adobe PDF(2102Kb)  |  Favorite  |  View/Download:878/12  |  Submit date:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 Authors: 朱莉; 郑厚植; 谭平恒; 周霞; 姬扬; 杨富华; 李桂荣; 曾宇昕 Adobe PDF(444Kb)  |  Favorite  |  View/Download:871/235  |  Submit date:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 Authors: 曾宇昕; 程国安; 王水凤; 肖志松 Adobe PDF(471Kb)  |  Favorite  |  View/Download:621/141  |  Submit date:2010/11/23 |