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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊影响因子降序
降低立方氮化硼薄膜应力的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:
范亚明
;
张兴旺
;
谭海仁
;
陈诺夫
Adobe PDF(391Kb)
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浏览/下载:1891/284
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王卉
;
曾韡
;
宋国峰
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浏览/下载:779/234
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
梁继然
;
胡明
;
王晓东
;
李贵柯
;
季安
;
杨富华
;
刘剑
;
吴南健
;
陈弘达
Adobe PDF(532Kb)
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浏览/下载:1538/520
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
许兴胜
;
熊志刚
;
金爱子
;
陈弘达
;
张道中
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浏览/下载:969/295
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
李庚伟
;
吴正龙
;
邵素珍
;
刘志凯
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浏览/下载:1008/360
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
种明
;
马文全
;
苏艳梅
;
张艳冰
;
胡小燕
;
陈良惠
Adobe PDF(171Kb)
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浏览/下载:1101/392
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
种明
;
苏艳梅
;
张艳冰
;
胡小燕
;
马文全
;
孙永伟
;
陈良惠
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浏览/下载:1086/346
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提交时间:2010/11/23
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1236/148
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
Adobe PDF(1337Kb)
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浏览/下载:1261/128
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘焕林
;
郝瑞亭
;
杨宇
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浏览/下载:696/264
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提交时间:2010/11/23