中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李艳;  杨富华;  唐龙娟;  朱银芳
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1778/262  |  提交时间：2011/08/31
高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1306/236  |  提交时间：2011/08/31