| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 | |
李艳 ; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷，普适性强，可淀积2微米以上的薄膜，薄膜应力小，抗腐蚀性能好。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 专利号 | CN200910081224.9 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910081224.9 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22403 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳,杨富华,唐龙娟,等. 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法. CN200910081224.9. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910081224.9.pdf（311KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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